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大工21春《高電壓技術(shù)》在線作業(yè)1
試卷總分:100    得分:100
第1題,電暈放電是一種()。
A、自持放電
B、非自持放電
C、電弧放電
D、均勻場(chǎng)中放電
正確答案:


第2題,湯遜理論不適用于()情況下。
A、小間隙
B、壓力小
C、空氣稀薄
D、長(zhǎng)間隙
正確答案:


第3題,均勻電場(chǎng)中,空氣擊穿電壓經(jīng)驗(yàn)公式的適用范圍是(),d的單位為cm。
A、1≤d≤5
B、1≤d≤10
C、d＞5
D、d＞10
正確答案:


第4題,當(dāng)氣體分子受到光輻射作用時(shí),如果光的能量大于氣體原子的電離能時(shí),就有可能引起()。
A、表面電離
B、光電離
C、熱電離
D、碰撞電離
正確答案:


答案來源：（www.）,當(dāng)Pd26.66kPa?cm時(shí),下列說法正確的是( )。
A、在大氣壓下放電是火花通道
B、放電時(shí)間短于正離子在通道中到達(dá)陰極的行程時(shí)間
C、陰極材料對(duì)放電電壓影響不大
D、以上說法都正確
正確答案:


第6題,下列說法正確的是()。
A、在電場(chǎng)的作用下，由電介質(zhì)組成的絕緣間隙喪失絕緣性能形成導(dǎo)電通道的現(xiàn)象稱為擊穿
B、擊穿電壓是指使絕緣擊穿的最高臨界電壓
C、發(fā)生擊穿時(shí)在絕緣中的最大平均電場(chǎng)強(qiáng)度叫做擊穿場(chǎng)強(qiáng)
D、以上說法都正確
正確答案:


第7題,下列關(guān)于流注理論說法不正確的是()。
A、流注理論考慮了空間電離對(duì)電場(chǎng)的影響
B、流注理論考慮了空間光電離作用的影響
C、流注理論認(rèn)為二次電子的主要來源是表面電離
D、形成流注后，放電就可以由本身產(chǎn)生的空間光電離自行維持
正確答案:


第8題,下列關(guān)于湯遜理論說法不正確的是()。
A、湯遜理論認(rèn)為自持放電是氣體間隙擊穿的必要條件
B、湯遜理論認(rèn)為電子空間碰撞電離是電離主要因素
C、湯遜理論適用于高氣壓長(zhǎng)間隙
D、湯遜理論適用于低氣壓短間隙
正確答案:


第9題,湯遜理論的適用范圍是()。
A、低氣壓長(zhǎng)間隙
B、高氣壓短間隙
C、高氣壓長(zhǎng)間隙
D、低氣壓短間隙
正確答案:


答案來源：（www.）,沿固體介質(zhì)表面發(fā)展的氣體放電稱為()。
A、擊穿
B、放電
C、閃絡(luò)
D、電暈
正確答案:


第11題,極不均勻電場(chǎng)具有的特殊放電形式是電暈放電。
T、對(duì)
F、錯(cuò)
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答案來源：（www.）,一般情況下,空氣間隙擊穿電壓隨著海拔高度的增加而增大。
T、對(duì)
F、錯(cuò)
正確答案:F


第13題,湯遜放電理論認(rèn)為,電離的主要因素是電子的空間碰撞電離和正離子碰撞陰極產(chǎn)生表面電離。
T、對(duì)
F、錯(cuò)
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第14題,撤除外界電離因素后,僅由電場(chǎng)作用就能維持的放電稱為自持放電。
T、對(duì)
F、錯(cuò)
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答案來源：（www.）,電子崩形成后,氣體進(jìn)入自持放電階段。
T、對(duì)
F、錯(cuò)
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第16題,流注理論認(rèn)為電子碰撞電離和空間光電離是維持自持放電的主要因素。
T、對(duì)
F、錯(cuò)
正確答案:


第17題,去電離過程通常包括帶電粒子的運(yùn)動(dòng)、擴(kuò)散、復(fù)合和附著效應(yīng)。
T、對(duì)
F、錯(cuò)
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第18題,表面電離是氣體產(chǎn)生帶電粒子的最重要形式。
T、對(duì)
F、錯(cuò)
正確答案:F


第19題,減小導(dǎo)線半徑可以防止導(dǎo)線電暈現(xiàn)象。
T、對(duì)
F、錯(cuò)
正確答案:F


答案來源：（www.）,光電離是氣體產(chǎn)生帶電粒子的最重要形式。
T、對(duì)
F、錯(cuò)
正確答案:F