東大22年春學期《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)Ⅰ》在線平時作業(yè)1-00001

試卷總分:100  得分:100

一、單選題 (共 20 道試題,共 80 分)

1.與邏輯式     {圖}     相等的式子是（）。

A.ABC

B.A

C.{圖}

D.{圖}

2.存儲8位二進制信息要( )個觸發(fā)器。

A.2

B.3

C.4

D.8

3.只讀存儲器的類型不包括（ ）

A.ROM

B..DROM

C.EPROM

D.E2PROM

4.正邏輯與門相當于負邏輯的（ ）

A.與門

B.非門

C.或門

D.與非門

5.CMOS非門的組成是由PMOS和NMOS互補對稱連接起來的，將PMOS的柵極G1和NMOS的柵極G2接在一起作輸入，而其輸出則是__________連接起來。

A.PMOS的源極S1和NMOS的源極S2

B.PMOS的源極S1和NMOS的漏極D2

C.PMOS的漏極D1和NMOS的源極S2

D.PMOS的漏極D1和NMOS的漏極D2

6.為使采樣輸出信號不失真地代表輸入模擬信號，采樣頻率和輸入模擬信號的最高頻率的關(guān)系是（ ）。

A..>=

B.<=

C.>=2

D.<=2

7.同步時序電路和異步時序電路比較，其差異在于后者 （）

A.沒有觸發(fā)器

B.沒有統(tǒng)一的時鐘脈沖控制

C.沒有穩(wěn)定狀態(tài)

D.輸出只與內(nèi)部狀態(tài)有關(guān)

8.EPROM是指（ ）

A.隨機讀寫存儲器

B.只讀存儲器

C.可編程的只讀存儲器

D.可擦可編程的只讀存儲器

9.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器輸出脈沖的寬度取決于（ ）。

A.觸發(fā)脈沖的寬度

B.電源電壓

C.觸發(fā)脈沖的幅度

D.定時電阻、電容的數(shù)值

10.半導體EPROM，寫入的內(nèi)容，可以通過＿擦除。（ ）

A.紫外線照射

B.電信號

C.口令

D.DOS命令

11.能驅(qū)動七段數(shù)碼管的顯示譯碼器是（  ）。

A.74LS48

B.74LS138

C.74LS148

D.TS547

12.對于輸出“0”有效的2—4線譯碼器來說要實現(xiàn)，Y= {圖}的功能，應外加(  )

A.或門

B.與門

C.或非門

D.與非門

13.三態(tài)門輸出高阻狀態(tài)時，下列說法不正確的是（ ）

A.用電壓表測量指針不動

B.相當于懸空

C.電壓不高不低

14.若RAM的地址碼有8位，行、列地址譯碼器的輸入端都為4個，則它們的輸出線（即字線加位線）共有______條

A.8

B.16

C.32

D.256

15.半導體E2PROM，寫入的內(nèi)容，可以通過_____擦除。（ ）

A.紫外線照射

B.電信號

C.口令

D.DOS命令

16.半導體存儲器的主要技術(shù)指標不包括（ ）

A.存儲容量

B.存儲速度

C.可靠性

D.安全性

17.某存儲器容量為 32K * 16位，則（ ）

A.地址線為16根，數(shù)據(jù)線為32根

B.地址線為32根，數(shù)據(jù)線為16根

C.地址線為15根，數(shù)據(jù)線為16根

D.地址線為15根，數(shù)據(jù)線為32根

18.下列邏輯等式中不成立的有（）。

A.A + BC = A  ( + B )( A + C )

B.{圖}

C.{圖}

D.{圖}

19.下列各組數(shù)中，是6 進制的是（）。

A.14752

B.62936

C.53452

D.37481

20.當內(nèi)存儲器系統(tǒng)中內(nèi)存儲器芯片較少時，其片選信號可以采用（ ）

A.74SL138

B.74LS245

C.74LS244

D.與門

二、判斷題 (共 5 道試題,共 20 分)

21.A/D轉(zhuǎn)換器的二進制數(shù)的位數(shù)越多，量化單位越小。

22.RS觸發(fā)器的約束條件RS=0表示不允許出現(xiàn)R=S=1的輸入。

23.D觸發(fā)器的特性方程為 Qn+1=D，與 Qn無關(guān)，所以它沒有記憶功能。

24.采樣定理的規(guī)定，是為了能不失真地恢復原模擬信號，而又不使電路過于復雜。

25.利用反饋歸零法獲得N進制計數(shù)器時，若為異步置零方式，則狀態(tài)SN只是短暫的過渡狀態(tài)，不能穩(wěn)定而是立刻變?yōu)?狀態(tài)。