大工22秋《電力電子技術(shù)》在線(xiàn)作業(yè)1

共20道題 總分：100分

一、單選題(共6題，30分)

1.（ ）是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種過(guò)電流保護(hù)措施，常與電力電子器件直接串聯(lián)。

A、交流斷路器

B、快速熔斷器

C、直流快速斷路器

D、快速短路器

2.靜電感應(yīng)晶體管的英文縮寫(xiě)是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶閘管的主要參數(shù)的選項(xiàng)是（ ）。

A、額定電壓

B、額定電流

C、靜態(tài)參數(shù)

D、維持電流

4.（ ）的英文縮寫(xiě)是GTR。

A、電力二極管

B、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管

C、電力晶體管

D、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管

5.使電力MOSFET導(dǎo)通的柵源驅(qū)動(dòng)電壓一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制極信號(hào)能控制器件的導(dǎo)通，但不能控制其關(guān)斷，器件的關(guān)斷完全由其承受的電壓和電流決定，這樣的電力電子器件稱(chēng)為（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自關(guān)斷器件

二、多選題(共6題，30分)

1.硒堆保護(hù)有下列哪幾種接法？（ ）

A、單相聯(lián)結(jié)

B、單相懸空聯(lián)結(jié)

C、三相Y聯(lián)結(jié)

D、三相三角聯(lián)結(jié)

2.下列是常用的過(guò)電流保護(hù)措施的是（ ）。

A、快速熔斷器

B、直流快速斷路器

C、過(guò)電流繼電器

D、其它選項(xiàng)都不正確

3.采用性能良好的驅(qū)動(dòng)電路，可使電力電子器件工作在較理想的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，會(huì)帶來(lái)下列哪些優(yōu)點(diǎn)？（ ）

A、縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間

B、拉長(zhǎng)開(kāi)關(guān)時(shí)間

C、減小開(kāi)關(guān)損耗

D、增大開(kāi)關(guān)損耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐壓低  

B、耐壓高

C、電流大

D、電流小

5.下列不是電力電子器件并聯(lián)均流措施的是（ ）。

A、盡量采用特性一致的元器件進(jìn)行并聯(lián)

B、盡量采用特性不一致的元器件進(jìn)行并聯(lián)

C、安裝時(shí)盡量使各并聯(lián)器件具有對(duì)稱(chēng)的位置

D、安裝時(shí)不能使各并聯(lián)器件具有對(duì)稱(chēng)的位置

6.當(dāng)器件導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，串聯(lián)使用的器件的（ ）和（ ）存在差異，這種差異引起的不均壓?jiǎn)栴}稱(chēng)為動(dòng)態(tài)不均壓?jiǎn)栴}。

A、靜態(tài)參數(shù)

B、動(dòng)態(tài)參數(shù)

C、特性

D、指標(biāo)

三、判斷題(共8題，40分)

1.IGBT集GTR和電力MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體。

A、錯(cuò)誤

B、正確

2.維持電流指使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流。

A、錯(cuò)誤

B、正確

3.晶閘管在導(dǎo)通和關(guān)斷頻率較高時(shí)，不必考慮時(shí)間的影響。

A、錯(cuò)誤

B、正確

4.集成門(mén)極換流晶閘管的英文縮寫(xiě)是IGCT。

A、錯(cuò)誤

B、正確

5.GTR是電壓驅(qū)動(dòng)型自關(guān)斷全控器件。

A、錯(cuò)誤

B、正確

6.電力MOSFET可直接并聯(lián)使用。

A、錯(cuò)誤

B、正確

7.電力電子裝置運(yùn)行不正常或者發(fā)生故障時(shí)，可能會(huì)發(fā)生過(guò)電流。

A、錯(cuò)誤

B、正確

8.阻容吸收電路由電容和電阻串聯(lián)而成，電阻具有儲(chǔ)能作用。

A、錯(cuò)誤

B、正確

奧鵬，國(guó)開(kāi)，廣開(kāi)，電大在線(xiàn)，各省平臺(tái)，新疆一體化等平臺(tái)學(xué)習(xí)
詳情請(qǐng)咨詢(xún)QQ : 3230981406或微信:aopopenfd777