大工22秋《電力電子技術(shù)》在線(xiàn)作業(yè)1-00001

試卷總分:100  得分:100

一、單選題 (共 6 道試題,共 30 分)

1.（ ）是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種過(guò)電流保護(hù)措施，常與電力電子器件直接串聯(lián)。

A.交流斷路器

B.快速熔斷器

C.直流快速斷路器

D.快速短路器

2.靜電感應(yīng)晶體管的英文縮寫(xiě)是（ ）。

A.PIC

B.IGCT

C.SITH

D.SIT

3.下列不是晶閘管的主要參數(shù)的選項(xiàng)是（ ）。

A.額定電壓

B.額定電流

C.靜態(tài)參數(shù)

D.維持電流

4.（ ）的英文縮寫(xiě)是GTR。

A.電力二極管

B.門(mén)極可關(guān)斷晶閘管

C.電力晶體管

D.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管

5.使電力MOSFET導(dǎo)通的柵源驅(qū)動(dòng)電壓一般?。?）V。

A.0-5

B.5-10

C.10-15

D.15-20

6.控制極信號(hào)能控制器件的導(dǎo)通，但不能控制其關(guān)斷，器件的關(guān)斷完全由其承受的電壓和電流決定，這樣的電力電子器件稱(chēng)為（ ）。

A.半控型器件

B.全控型器件

C.不可控器件

D.自關(guān)斷器件

二、多選題 (共 6 道試題,共 30 分)

7.硒堆保護(hù)有下列哪幾種接法？（ ）

A.單相聯(lián)結(jié)

B.單相懸空聯(lián)結(jié)

C.三相Y聯(lián)結(jié)

D.三相三角聯(lián)結(jié)

8.下列是常用的過(guò)電流保護(hù)措施的是（ ）。

A.快速熔斷器

B.直流快速斷路器

C.過(guò)電流繼電器

D.其它選項(xiàng)都不正確

9.采用性能良好的驅(qū)動(dòng)電路，可使電力電子器件工作在較理想的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，會(huì)帶來(lái)下列哪些優(yōu)點(diǎn)？（ ）

A.縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間

B.拉長(zhǎng)開(kāi)關(guān)時(shí)間

C.減小開(kāi)關(guān)損耗

D.增大開(kāi)關(guān)損耗

10.GTR的主要特性是（ ）。

A.耐壓低

B.耐壓高

C.電流大

D.電流小

11.下列不是電力電子器件并聯(lián)均流措施的是（ ）。

A.盡量采用特性一致的元器件進(jìn)行并聯(lián)

B.盡量采用特性不一致的元器件進(jìn)行并聯(lián)

C.安裝時(shí)盡量使各并聯(lián)器件具有對(duì)稱(chēng)的位置

D.安裝時(shí)不能使各并聯(lián)器件具有對(duì)稱(chēng)的位置

12.當(dāng)器件導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，串聯(lián)使用的器件的（ ）和（ ）存在差異，這種差異引起的不均壓?jiǎn)栴}稱(chēng)為動(dòng)態(tài)不均壓?jiǎn)栴}。

A.靜態(tài)參數(shù)

B.動(dòng)態(tài)參數(shù)

C.特性

D.指標(biāo)

三、判斷題 (共 8 道試題,共 40 分)

13.IGBT集GTR和電力MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體。

14.維持電流指使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流。

15.晶閘管在導(dǎo)通和關(guān)斷頻率較高時(shí)，不必考慮時(shí)間的影響。

16.集成門(mén)極換流晶閘管的英文縮寫(xiě)是IGCT。

17.GTR是電壓驅(qū)動(dòng)型自關(guān)斷全控器件。

18.電力MOSFET可直接并聯(lián)使用。

19.電力電子裝置運(yùn)行不正?；蛘甙l(fā)生故障時(shí)，可能會(huì)發(fā)生過(guò)電流。

20.阻容吸收電路由電容和電阻串聯(lián)而成，電阻具有儲(chǔ)能作用。

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